SIHB30N60E-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIHB30N60E-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	29 A
Pd - рассеивание мощности	250 W
Qg - заряд затвора	85 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	125 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	32 ns
Время спада	36 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	E Series
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	5.4 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	E
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	63 ns
Типичное время задержки при включении	19 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	D2PAK-3

Метки: