SIR670DP-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIR670DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 6000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 6000

Описание Характеристики

МОП-транзистор 60V 4.8mOhm@10V 60A N-CH

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	60 A
Pd - рассеивание мощности	56.8 W
Qg - заряд затвора	42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	81 ns
Время спада	8 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	60 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIRxxxDP
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	28 ns
Типичное время задержки при включении	42 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8

Метки: