IXFN520N075T2

Производитель: IXYS
Номер части: IXFN520N075T2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	480 A
Pd - рассеивание мощности	940 W
Qg - заряд затвора	545 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	75 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	36 ns
Время спада	35 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	65 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Серия	IXFN520N075
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	80 ns
Типичное время задержки при включении	48 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-227-4

Метки: