KST10MTF

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: KST10MTF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	350 mW
Вес изделия	60 mg
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	KST10MTF_NL
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	60
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	650 MHz
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	KST10
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23

Метки: