SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI5504BDC-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор 30V 4/3.7A N/PCH
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 3.7 A
Pd - рассеивание мощности 1.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 53 mOhms, 112 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V to 3 V, - 1.5 V to - 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET
Конфигурация 1 N-Channel, 1 P-Channel
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
Производитель Vishay
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SI5504BDC
Тип транзистора 1 N-Channel, 1 P-Channel
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Reel
Упаковка / блок ChipFET-8
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.522 секунд.