IXFT18N100Q3

Производитель: IXYS
Номер части: IXFT18N100Q3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 1000V/18A

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	18 A
Pd - рассеивание мощности	830 W
Qg - заряд затвора	90 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	660 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1000 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	32 ns
Время спада	13 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HyperFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	16 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXFT18N100
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	40 ns
Типичное время задержки при включении	37 nS
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-268-2

Метки: