QSL12TR

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: QSL12TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN 30V 1A 5PIN

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	0.9 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	270
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	680
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	120 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	320 MHz
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	QSL12
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSMT-5

Метки: