SI4914BDY-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI4914BDY-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 8.4A/8A DUAL NCH МОП-транзистор w/Shottky

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	6.7 A
Pd - рассеивание мощности	1.7 W, 2 W
Qg - заряд затвора	6.7 nC, 7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	16.5 mOhms, 15.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.7 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns, 9 ns
Время спада	9 ns, 8 ns
Другие названия товара №	SI4914BDY-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	29 S, 33 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	2500
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	16 ns
Типичное время задержки при включении	9 ns, 10 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8

Метки: