+7(8482)93-11-33
+79277730386
SIA416DJ-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA416DJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: SIA416DJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор 100V 83mOhm@10V 11.3A N-Ch MV T-FET
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 11.3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 19 W |
| Qg - заряд затвора | 3.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 83 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 3 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | ThunderFET TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SIA4xxDJ |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SC-70-6 |
Страница создана за 0.192 секунд.