2SC5566-TD-E

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SC5566-TD-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 50V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	3.5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 50 V, 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 50 V, 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 105 V, 85 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 6 V, 6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	360 MHz, 400 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2SC5566
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PCP

Метки: