SIR880DP-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIR880DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 80V 5.9mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	60 A
Pd - рассеивание мощности	104 W
Qg - заряд затвора	49 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	80 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	SIR880DP-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	ThunderFET TrenchFET
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	64 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIRxxxDP
Тип транзистора	2 N-Channel
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8

Метки: