MJD31C-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: MJD31C-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 100V 5A NPN SMT

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1560 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	25
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	40 at 3 A at 4 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	3 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	MJD31C
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DPAK-3

Метки: