SI4963BDY-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI4963BDY-T1-GE3
Нормоупаковка: 2500 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 2500

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	4.9 A
Pd - рассеивание мощности	1.1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	32 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	40 ns
Время спада	55 ns
Другие названия товара №	SI4963BDY-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	2500
Тип транзистора	2 P-Channel
Типичное время задержки выключения	80 ns
Типичное время задержки при включении	30 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOIC-Narrow-8

Метки: