SIR870ADP-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIR870ADP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 100V 6.6mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	60 A
Pd - рассеивание мощности	104 W
Qg - заряд затвора	25.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	15 ns
Время спада	9 ns
Другие названия товара №	SIR870ADP-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	ThunderFET TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	68 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIRxxxADP
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	33 ns
Типичное время задержки при включении	17 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8

Метки: