NTMS4177PR2G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NTMS4177PR2G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор PFET SO8 30V 9.6A TR

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 11.4 A
Pd - рассеивание мощности	2.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	15 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	13 ns
Время спада	36 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	30 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	NTMS4177P
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	64 ns
Типичное время задержки при включении	18 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOIC-8

Метки: