SI8810EDB-T2-E1

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI8810EDB-T2-E1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V .072ohm@4.5V 2.9A N-Ch

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	2.1 A
Pd - рассеивание мощности	500 mW
Qg - заряд затвора	8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	72 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	0.9 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12 ns
Время спада	7 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	12 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	25 ns
Типичное время задержки при включении	7 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	XFBGA-4

Метки: