SI7157DP-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI7157DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -20V .0016ohm@-10V -60A P-Ch

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 60 A
Pd - рассеивание мощности	104 W
Qg - заряд затвора	202.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 500 mV to - 1.4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	14 ns
Время спада	55 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Серия	SI71xxDx
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	220 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK SO-8

Метки: