GA05JT03-46

Производитель: GeneSiC Semiconductor
Номер части: GA05JT03-46
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор SiC High Temperature JT

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	9 A
Pd - рассеивание мощности	20 W
Qg - заряд затвора	14.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	620 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	300 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	6.6 ns
Время спада	12.4 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 225 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Технология	SiC
Типичное время задержки выключения	12 ns
Типичное время задержки при включении	13 ns
Торговая марка	GeneSiC Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-46-3

Метки: