IPP057N06N3 G

IPP057N06N3 G

IPP057N06N3 G
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPP057N06N3 G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 80 A
Pd - рассеивание мощности 115 W
Qg - заряд затвора 61 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 68 ns
Время спада 9 ns
Другие названия товара № IPP057N06N3GXK IPP057N06N3GXKSA1 SP000680808
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 94 S, 47 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 500
Серия OptiMOS 3
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 32 ns
Типичное время задержки при включении 24 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Метки:
Страница создана за 0.188 секунд.