IXFZ520N075T2

Производитель: IXYS
Номер части: IXFZ520N075T2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор TrenchT2 HiperFETs Gate TrenchT2 МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	465 A
Pd - рассеивание мощности	600 W
Qg - заряд затвора	545 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	75 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	36 ns
Время спада	35 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Коммерческое обозначение	TrenchT2, GigaMOS, HiperFET
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	95 s
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	20
Серия	IXFZ520N075
Типичное время задержки выключения	80 ns
Типичное время задержки при включении	48 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	DE-475-6

Метки: