GA100JT17-227

GA100JT17-227

GA100JT17-227
Производитель: GeneSiC Semiconductor
Номер части: GA100JT17-227
Нормоупаковка: 10 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 30
МОП-транзистор 1700V 160A SiC Junction Transistor
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 160 A
Pd - рассеивание мощности 535 W
Qg - заряд затвора 478 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 21 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.7 kV
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 100 ns
Время спада 120 ns
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель GeneSiC Semiconductor
Технология SiC
Типичное время задержки выключения 160 ns
Типичное время задержки при включении 50 ns
Торговая марка GeneSiC Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок SOT-227
Метки:
Страница создана за 0.18 секунд.