RN2102,LF(CT

Производитель: Toshiba
Номер части: RN2102,LF(CT
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor with Built-in Transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	50 at - 10 mA at - 5 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 100 mA
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 10 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	200 MHz
Производитель	Toshiba
Технология	Si
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-70-3

Метки: