NTLGD3502NT2G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NTLGD3502NT2G
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 3000

Описание Характеристики

МОП-транзистор NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	4.3 A
Pd - рассеивание мощности	1.74 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	60 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	17.5 ns
Время спада	17.5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	NTLGD3502N
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	8.6 ns
Типичное время задержки при включении	7 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DFN-6

Метки: