2SB1203S-H

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SB1203S-H
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 50V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	70
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	8 A, - 8 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V, - 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V, - 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	220 mV, - 280 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V, - 6 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	180 MHz, 130 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	500
Серия	2SB1203
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-251

Метки: