+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
QSE113E3R0 Лист данных | скачать |
Фототранзисторы | |
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Вес изделия | 135 mg |
Время нарастания | 8 us |
Время спада | 8 us |
Другие названия товара № | QSE113E3R0_NL |
Категория продукта | Фототранзисторы |
Максимальная рабочая температура | + 100 C |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Производитель | Fairchild Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | QSE113 |
Темновой ток | 100 nA |
Тип | IR Chip |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | Side Looker |