BUTW92

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: BUTW92
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Hi-Curr High Spd

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	180 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	9
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	65
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	500 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	250 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.8 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	300
Серия	500V Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247

Метки: