SQ2362ES-T1_GE3

SQ2362ES-T1_GE3

SQ2362ES-T1_GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SQ2362ES-T1_GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации: Вышло из употребления
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 4.3 A
Pd - рассеивание мощности 3 W
Qg - заряд затвора 7.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 147 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 20 ns
Время спада 18 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET
Конфигурация 1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 10 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Vishay
Технология Si
Типичное время задержки выключения 14 ns
Типичное время задержки при включении 6 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Reel
Упаковка / блок SOT-23-3
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.156 секунд.