+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
IRF8707PBF Лист данных (PDF) | скачать |
МОП-транзистор | |
Высота | 1.75 mm |
Длина | 4.9 mm |
Подкатегория | MOSFETs |
Тип продукта | MOSFET |
Ширина | 3.9 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
Qg - заряд затвора | 6.2 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вес изделия | 540 mg |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | SP001560112 |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | Infineon |
Размер фабричной упаковки | 95 |
Технология | Si |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SO-8 |
CAHTS | 8541290000 |
CNHTS | 8541290000 |
ECCN | EAR99 |
JPHTS | 8541290100 |
KRHTS | 8541299000 |
MXHTS | 85412999 |
TARIC | 8541290000 |
USHTS | 8541290095 |