MJE3055TG

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: MJE3055TG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 10A 60V 125W NPN

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	75 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	20
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	10 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	70 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	2 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	50
Серия	MJE3055T
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: