DSS2515M-7B

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DSS2515M-7B
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	90 at 500 mA, 2 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	15 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	15 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	250 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DSS25
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DFN-1006-3

Метки: