NTP8G206NG

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NTP8G206NG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор GAN 600V 17A 150MO

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	17 A
Pd - рассеивание мощности	96 W
Qg - заряд затвора	6.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	340 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 18 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.6 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	4.5 ns
Время спада	4 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Технология	GaN
Типичное время задержки выключения	9.7 ns
Типичное время задержки при включении	6.2 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: