RDN150N20FU6

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: RDN150N20FU6
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор PWR МОП-транзистор TR DRIVE VLTG-10V

МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Тип продукта	MOSFET
Id - непрерывный ток утечки	15 A
Pd - рассеивание мощности	40 W
Qg - заряд затвора	32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вес изделия	6 g
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RDN150N20
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	500
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-220-3
CAHTS	8541290000
CNHTS	8541290000
ECCN	EAR99
JPHTS	8541290100
KRHTS	8541299000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000
USHTS	8541290095

Метки: