NTLJS3113PT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NTLJS3113PT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 5.8 A
Pd - рассеивание мощности	1.9 W
Qg - заряд затвора	13 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	90 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 0.67 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	17.5 ns
Время спада	56.5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Quad Drain
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	5.9 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	NTLJS3113P
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	60 ns
Типичное время задержки при включении	6.9 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	WDFN-6

Метки: