MMDT4146-7-F

MMDT4146-7-F

MMDT4146-7-F
Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: MMDT4146-7-F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe 120
Конфигурация Dual
Максимальный постоянный ток коллектора 0.2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Полярность транзистора NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz
Производитель Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MMDT41
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка Reel
Упаковка / блок SOT-363
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.221 секунд.