QSX4TR

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: QSX4TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR NPN Vce 30V 2A

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	270
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	270 at 200 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	280 MHz
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	QSX4
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSMT-6

Метки: