+7(8482)93-11-33
+79277730386
FJP13009H2TU
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FJP13009H2TU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 6 недель
Номер части: FJP13009H2TU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 6 недель
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| FJP13009H2TU Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT NPN Sil Transistor
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Высота | 9.4 mm |
| Длина | 10.1 mm |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 8 |
| Непрерывный коллекторный ток | 12 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 4 MHz |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Ширина | 4.7 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Вес изделия | 1.800 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | FJP13009H2TU_NL |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 12 A |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FJP13009 |
| Технология | Si |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| CAHTS | 8541290000 |
| CNHTS | 8541210000 |
| ECCN | EAR99 |
| JPHTS | 8541290100 |
| KRHTS | 8541299000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
Страница создана за 0.155 секунд.