KSP10BU

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: KSP10BU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	350 mW
Вес изделия	179 mg
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	KSP10BU_NL
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	60
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	650 MHz
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	10000
Серия	KSP10
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92

Метки: