+7(8482)93-11-33
+79277730386
SIHB22N60E-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIHB22N60E-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: SIHB22N60E-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 21 A |
| Pd - рассеивание мощности | 227 W |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | E Series |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | E |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
Страница создана за 0.164 секунд.