SIS424DN-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIS424DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 3000

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 35A 39W

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	35 A
Pd - рассеивание мощности	3.7 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	7.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	13 ns
Время спада	10 ns
Другие названия товара №	SIS424DN-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Quad Drain Triple Source
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	39 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SISxxxDN
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	20 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8

Метки: