NTJD4158CT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NTJD4158CT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор PFET 20V .88A 1OHM

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	250 mA
Pd - рассеивание мощности	270 mW
Qg - заряд затвора	0.9 nC, 2.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V, - 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, 12 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	66 nS, 6.5 nS
Время спада	78 nS, 3.5 nS
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	1 N-Channel, 1 P-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	0.08 S, 3 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	NTJD4158C
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	56 nS, 13.5 nS
Типичное время задержки при включении	15 nS, 5.8 nS
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-70-6

Метки: