SI5415AEDU-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI5415AEDU-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -20V 9.6mOhm@-4.5V -25A P-CH

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	25 A
Pd - рассеивание мощности	31 W
Qg - заряд затвора	80 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	9.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+ /- 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	45 ns
Время спада	25 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 50 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	Power MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	80 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-8

Метки: