HN1A01FU-Y,LF

HN1A01FU-Y,LF

HN1A01FU-Y,LF
Производитель: Toshiba
Номер части: HN1A01FU-Y,LF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Биполярные транзисторы - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe 120
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 400
Максимальный постоянный ток коллектора - 150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 80 MHz
Производитель Toshiba
Торговая марка Toshiba
Упаковка Reel
Упаковка / блок US-6
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.409 секунд.