SISS40DN-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SISS40DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 3000

Описание Характеристики

МОП-транзистор 100V .0210ohm@10V 36.5A N-Ch T-FET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	36.5 A
Pd - рассеивание мощности	52 W
Qg - заряд затвора	16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	21.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5 ns
Время спада	5 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	ThunderFET TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	25 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SISxxxDN
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	14 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8

Метки: