SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI4966DY-T1-GE3
Нормоупаковка: 2500 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 2500
МОП-транзистор 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 7.1 A
Pd - рассеивание мощности 2 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 12 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 40 ns
Время спада 40 ns
Другие названия товара № SI4966DY-GE3
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Vishay
Размер фабричной упаковки 2500
Тип транзистора 2 N-Channel
Типичное время задержки выключения 90 ns
Типичное время задержки при включении 40 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Reel
Упаковка / блок SOIC-Narrow-8
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.153 секунд.