SiHH11N60E-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SiHH11N60E-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор E-Series Vds 600V Rds(On) 0.339 @10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	11 A
Pd - рассеивание мощности	114 W
Qg - заряд затвора	31 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	339 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	21 ns
Время спада	21 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	E Series
Конфигурация	1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	3.7 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	39 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK

Метки: