SBC847BPDW1T1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: SBC847BPDW1T1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание	действие
SBC847BPDW1T1G Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR DUAL 45V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	380 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.6 V, - 0.65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V, - 5 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC847BP
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-363-6

Метки: