+7(8482)93-11-33
+79277730386
SIR812DP-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIR812DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребления
Номер части: SIR812DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребленияЦена: по запросу
МОП-транзистор 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Pd - рассеивание мощности | 104 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.65 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | SIR812DP-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Dual Source |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SIRxxxDP |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SO-8 |
Страница создана за 0.407 секунд.