SMBT3904DW1T1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: SMBT3904DW1T1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 40V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 VDC
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 VDC
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 VDC
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 VDC
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	300 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	MBT3904DW1
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-363

Метки: