+7(8482)93-11-33
+79277730386
RDN050N20FU6
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: RDN050N20FU6
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: RDN050N20FU6
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор PWR МОП-транзистор TR DRIVE VLT-10V
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Qg - заряд затвора | 9.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 720 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
Страница создана за 0.385 секунд.