FQPF8N60C

FQPF8N60C

FQPF8N60C
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FQPF8N60C
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 4 недель
Срок эксплуатации: NRND: Не рекомендуется для новых разработок.
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
FQPF8N60C Лист данных скачать
МОП-транзистор 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
МОП-транзистор
Высота 16.3 mm
Длина 10.67 mm
Подкатегория MOSFETs
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Ширина 4.7 mm
Id - непрерывный ток утечки 7.5 A
Pd - рассеивание мощности 48 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Вес изделия 2.270 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 60.5 ns
Время спада 64.5 ns
Другие названия товара № FQPF8N60C_NL
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 8.7 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FQPF8N60C
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 81 ns
Типичное время задержки при включении 16.5 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541210000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
Страница создана за 1.952 секунд.